MOSFET IXYS canal N, SOT-227 72 A 600 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 194-130
- Référence fabricant:
- IXFN82N60P
- Marque:
- IXYS
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Prix pour la pièce
38,35 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 1 | 38,35 € |
| 2 - 4 | 37,20 € |
| 5 + | 36,44 € |
- Code commande RS:
- 194-130
- Référence fabricant:
- IXFN82N60P
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 72 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Série | HiperFET, Polar |
| Type de boîtier | SOT-227 |
| Type de montage | Montage à visser |
| Nombre de broches | 4 |
| Résistance Drain Source maximum | 75 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,04 kW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 25.07mm |
| Longueur | 38.2mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 9.6mm |