MOSFET canal N IXYS 12 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HiperFET, Polar

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Code commande RS:
194-619
Numéro d'article Distrelec:
304-29-646
Référence fabricant:
IXFP12N50P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-220

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

500mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.66mm

Hauteur

9.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.83mm

Standard automobile

Non

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