MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-223
- Référence fabricant:
- SCT015W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 215-223
- Référence fabricant:
- SCT015W120G3-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Hip-247-4 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 167nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 4.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 673W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Hip-247-4 | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 167nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 4.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 673W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Charge de grille et capacité d'entrée extrêmement faibles
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
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