MOSFET 2 canal N Nch+Nch ROHM 24 A 40 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8 Non
- Code commande RS:
- 264-754P
- Référence fabricant:
- HP8KB6TB1
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,88 € |
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- Code commande RS:
- 264-754P
- Référence fabricant:
- HP8KB6TB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | HSOP-8 | |
| Série | HP8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 21W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Configuration du transistor | Nch+Nch | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier HSOP-8 | ||
Série HP8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 21W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Configuration du transistor Nch+Nch | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le ROHM 40V 24A Dual Nch+Nch est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation.
Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8)
Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS
Sans halogène