MOSFET 2 canal N ROHM 23 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8 Non

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264-757P
Référence fabricant:
HP8KC6TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

23A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HSOP-8

Série

HP8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

21W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement idéal pour les applications de commutation.

Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8)

Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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