MOSFET 2 canal N ROHM 17 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOP-8 HP8K Non

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264-871P
Référence fabricant:
HP8KE6TB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

HP8K

Type de Boitier

HSOP-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

54mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

21W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.7nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance ROHM présente une configuration à double canal N avec une tension nominale de 100V et une capacité de courant de 17A. Conçu dans un boîtier HSOP8, il offre une faible résistance à l'enclenchement.

Faible résistance à état passant

Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8)

Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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