MOSFET 1 canal N ROHM 170 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263AB RJ1

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264-878P
Référence fabricant:
RJ1P10BBHTL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

170A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263AB

Série

RJ1

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.0mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

135nC

Dissipation de puissance maximum Pd

189W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Nombre d'éléments par circuit

1

Le MOSFET de puissance ROHM Nch 100V 170A TO-263AB avec une faible résistance à l'enclenchement et une puissance élevée, convient pour la commutation.

Faible résistance à l'état passant

Boîtier petit moule haute puissance (TO263AB)

Placage sans plomb et conforme à la directive RoHS

100% testé par l'ISU

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