MOSFET 1 canal N ROHM 125 A 30 V Enrichissement, 8 broches, HSMT-8 R65
- Code commande RS:
- 265-310P
- Référence fabricant:
- RH6E040BGTB1
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 100 unités (conditionné une bande continue)*
81,20 €
HT
97,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 90 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,812 € |
| 250 - 490 | 0,752 € |
| 500 - 990 | 0,694 € |
| 1000 + | 0,667 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 265-310P
- Référence fabricant:
- RH6E040BGTB1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 125A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | R65 | |
| Type de Boitier | HSMT-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 125A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série R65 | ||
Type de Boitier HSMT-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Le transistor MOSFET de puissance ROHM est doté d'une faible résistance d'activation et est logé dans un petit boîtier moulé compact et haute puissance. Il est bien adapté pour une grande variété d'applications, y compris la commutation, les entraînements de moteur et les convertisseurs c.c./c.c., fournissant des performances efficaces dans les environnements à espace limité.
Placage sans plomb
Conformité RoHS
Petit boîtier moulé haute puissance
Faible résistance à l'état passant
Testé 100 % Rg et ISU