MOSFET canal N Microchip 2 A 74 V, 40 broches, QFN PD70224
- Code commande RS:
- 333-012
- Référence fabricant:
- PD70224ILQ-TR
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
7 848,00 €
HT
9 418,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,924 € | 7 848,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 333-012
- Référence fabricant:
- PD70224ILQ-TR
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 74V | |
| Série | PD70224 | |
| Type de Boitier | QFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 40 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.26Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 192mV | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Longueur | 6mm | |
| Normes/homologations | IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | |
| Largeur | 8mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 74V | ||
Série PD70224 | ||
Type de Boitier QFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 40 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.26Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 192mV | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Longueur 6mm | ||
Normes/homologations IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | ||
Largeur 8mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le double pack Microchip de redresseurs en pont complet à base de MOSFET. Il contient des MOSFET à canal N à faible Rds de 0,16Ω pour une efficacité globale et une puissance de sortie beaucoup plus élevées, en particulier lorsqu'il est utilisé dans des dispositifs alimentés (PD) pour des applications PoE. L'ensemble du circuit de commande des MOSFET est intégré à la puce, y compris une pompe de charge pour la commande des MOSFET à canal N du côté haut.
Circuit actif à faible chute avant pour remplacer les ponts de diodes passives dissipatives
Circuit de commande autonome pour MOSFETs
Conçu pour prendre en charge IEEE-802.3af / at / bt et PoH
MOSFETs à canal N intégrés de 0,16 Ohm pour une résistance totale du chemin de 0,3 Ohm
Signaux indicateurs de présence de puissance pour identifier la puissance du pont à 4 paires
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