MOSFET canal N onsemi 126 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PQFN-8 PowerTrench Power Clip
- Code commande RS:
- 333-403
- Référence fabricant:
- NTTFD1D8N02P1E
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
| 50 - 95 | 1,638 € | 8,19 € |
| 100 - 495 | 1,518 € | 7,59 € |
| 500 - 995 | 1,40 € | 7,00 € |
| 1000 + | 1,346 € | 6,73 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 333-403
- Référence fabricant:
- NTTFD1D8N02P1E
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 126A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Série | PowerTrench Power Clip | |
| Type de Boitier | PQFN-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 36W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, Pb-Free | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 126A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Série PowerTrench Power Clip | ||
Type de Boitier PQFN-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 36W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, Pb-Free | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET de puissance ON Semiconductor est optimisé pour les applications basse tension, offrant un rendement élevé et des pertes de conduction minimales. Avec son boîtier DSC-6, il offre d'excellentes performances thermiques et des avantages en termes d'encombrement pour les conceptions électroniques modernes. Ce dispositif assure un fonctionnement fiable avec un faible R DS(on) et une gestion robuste du courant.
Faible encombrement pour une conception compacte
Faible charge de grille QG et faible capacité pour minimiser les pertes de driver
Sans plomb
Conformité RoHS
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