MOSFET, Canal-N, 2 A 600 V PW moulé 2, 3 broches

  • Code commande RS 362-800
  • Référence fabricant 2SK4002(Q)
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 2 A
Tension Drain Source maximum 600 V
Type de boîtier PW moulé 2
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 5 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 20000 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 9 nC @ 10 V
Hauteur 5.5mm
Matériau du transistor Si
Largeur 2.3mm
Longueur 6.5mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
15 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
0,426
HT
0,511
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 20
0,426 €
2,13 €
25 - 45
0,33 €
1,65 €
50 - 95
0,32 €
1,60 €
100 - 245
0,314 €
1,57 €
250 +
0,304 €
1,52 €
*Prix donné à titre indicatif
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