MOSFET, Canal-N, 2,8 A 20 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 2,8 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 65 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1.2V
Dissipation de puissance maximum 900 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 3,69 nC @ 4,5 V
Hauteur 0.95mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 1.4mm
Matériau du transistor Si
Longueur 3.05mm
1250 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,303
HT
0,364
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 200
0,303 €
15,15 €
250 - 450
0,256 €
12,80 €
500 - 950
0,239 €
11,95 €
1000 - 2450
0,225 €
11,25 €
2500 +
0,203 €
10,15 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :