MOSFET 2 canal Type N Drain commun Taiwan Semiconductor 6.5 A 20 V Enrichissement, 8 broches, TSSOP TSM6968D Non

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Code commande RS:
398-449
Référence fabricant:
TSM6968DCA RVG
Marque:
Taiwan Semiconductor
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Marque

Taiwan Semiconductor

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSSOP

Série

TSM6968D

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

40mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Tension directe Vf

1.2V

Configuration du transistor

Drain commun

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

ESD Protected 2KV

Longueur

4.5mm

Hauteur

1.05mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à double canal N, Taiwan Semiconductor


Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor


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