Références fabricant

MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

Name: MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
Brand: Toshiba
SKU: 415-354
Price: 3.43 EUR
Availability: Discontinued

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum	9 A
	Tension Drain Source maximum	900 V
	Type de boîtier	TO-3PN
	Série	2SK
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum	1,3 Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille	4V
	Dissipation de puissance maximum	150 W
	Configuration du transistor	Simple
	Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
	Charge de Grille type @ Vgs	60 nC @ 10 V
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Matériau du transistor	Si
	Largeur	4.8mm
	Température d'utilisation maximum	+150 °C
	Longueur	15.9mm
	Hauteur	19mm
	Température de fonctionnement minimum	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum 9 A
	Tension Drain Source maximum 900 V
	Type de boîtier TO-3PN
	Série 2SK
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum 1,3 Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille 4V
	Dissipation de puissance maximum 150 W
	Configuration du transistor Simple
	Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
	Charge de Grille type @ Vgs 60 nC @ 10 V
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Matériau du transistor Si
	Largeur 4.8mm
	Température d'utilisation maximum +150 °C
	Longueur 15.9mm
	Hauteur 19mm
	Température de fonctionnement minimum -55 °C

Transistors MOSFET, Toshiba

Nos clients ont également consulté