MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	9 A
Tension Drain Source maximum	900 V
Type de boîtier	TO-3PN
Série	2SK
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,3 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	150 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	4.8mm
Charge de Grille type @ Vgs	60 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	15.9mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	19mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C