MOSFETs simples N Microchip 115 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002
- Code commande RS:
- 644-261
- Référence fabricant:
- 2N7002-G
- Marque:
- Microchip
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
4,12 €
HT
4,94 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,412 € | 4,12 € |
| 100 - 490 | 0,362 € | 3,62 € |
| 500 - 990 | 0,325 € | 3,25 € |
| 1000 + | 0,275 € | 2,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 644-261
- Référence fabricant:
- 2N7002-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 115mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | 2N7002 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 115mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série 2N7002 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le N-Channel Microchip est un transistor à faible seuil, en mode amélioration (normalement désactivé), qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication à grille de silicium éprouvé. Cette combinaison est à l'origine d'un dispositif qui a les capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS. À l'instar de toutes les structures MOS, ce dispositif ne présente ni d'emballement thermique ni claquage secondaire induit par la chaleur.
Sans rupture secondaire
Faible consommation d'énergie
Facilité de mise en parallèle
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N DiodesZetex 115 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q101
- MOSFET N onsemi 115 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q100 AEC-Q101
- MOSFET N Nexperia 300 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002
- MOSFET N DiodesZetex 300 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q101
- MOSFET N DiodesZetex 380 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q101
- MOSFET N DiodesZetex 220 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q101
- MOSFET N DiodesZetex 292 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002 AEC-Q101
- MOSFET N onsemi 115 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002L