MOSFETs simples canal N Microchip 115 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002
- Code commande RS:
- 644-261
- Référence fabricant:
- 2N7002-G
- Marque:
- Microchip
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- Code commande RS:
- 644-261
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- 2N7002-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 115mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | 2N7002 | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Normes/homologations | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 115mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série 2N7002 | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Normes/homologations Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le N-Channel Microchip est un transistor à faible seuil, en mode amélioration (normalement désactivé), qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication à grille de silicium éprouvé. Cette combinaison est à l'origine d'un dispositif qui a les capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS. À l'instar de toutes les structures MOS, ce dispositif ne présente ni d'emballement thermique ni claquage secondaire induit par la chaleur.
Sans rupture secondaire
Faible consommation d'énergie
Facilité de mise en parallèle
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