MOSFETs simples P ROHM 6 A -20 V Enrichissement, 8 broches, DFN1616-6W RV4 AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
646-539
Référence fabricant:
RV4C060ZPHZGTCR1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

-20V

Type de Boitier

DFN1616-6W

Série

RV4

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

1.7mm

Hauteur

800μm

Longueur

1.7mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor ROHM à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique et canal P à petit signal de 20 volts 6 ampères est testé à 100 % en commutation inductive non bridée avec un flanc de table humide pour l'inspection optique automatisée et une garantie de pièce d'électrode de 130 micromètres.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier à haute puissance

Entraînement à basse tension (1,5 V)

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