MOSFETs simples canal N ROHM 3 A 30 V Enrichissement, 3 broches, MPT3 R4P AEC-Q101
- Code commande RS:
- 646-552P
- Référence fabricant:
- R4P030N03HZGT100
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,306 € |
| 250 - 990 | 0,276 € |
| 1000 - 4990 | 0,223 € |
| 5000 + | 0,217 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 646-552P
- Référence fabricant:
- R4P030N03HZGT100
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | MPT3 | |
| Série | R4P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 120mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Longueur | 4.3mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier MPT3 | ||
Série R4P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Longueur 4.3mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à canal N de 4 V de ROHM se caractérise par une faible résistance à l'état passant et prend en charge le fonctionnement de l'entraînement de 4 V.
Certifié AEC-Q101