MOSFETs simples canal N ROHM 2 A 60 V Enrichissement, 3 broches, MPT3 R4P AEC-Q101

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Code commande RS:
646-554P
Référence fabricant:
R4P020N06HZGT100
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

R4P

Type de Boitier

MPT3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

200mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.6mm

Longueur

4.3mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4.7mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor ROHM à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique et canal N de 4 volts se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement et prend en charge un fonctionnement de 4 volts.

Certifié AEC-Q101

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