MOSFETs simples canal N Microchip 72 mA 350 V Épuisement, 3 broches, SOT-89 DN3135
- Code commande RS:
- 649-459P
- Référence fabricant:
- DN3135N8-G
- Marque:
- Microchip
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*
32,20 €
HT
38,65 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 975 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 245 | 0,644 € |
| 250 - 495 | 0,576 € |
| 500 + | 0,516 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 649-459P
- Référence fabricant:
- DN3135N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 350V | |
| Type de Boitier | SOT-89 | |
| Série | DN3135 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 350V | ||
Type de Boitier SOT-89 | ||
Série DN3135 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Longueur 2.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor à mode d'appauvrissement à bas seuil (normalement activé) de Microchip utilise une structure DMOS verticale avancée et un procédé de fabrication à grille de silicium éprouvé. Cette combinaison produit un dispositif doté des capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et de l'impédance d'entrée élevée ainsi que du coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt d'emballement thermique et de claquage secondaire induit par la chaleur. Les FET DMOS verticaux conviennent parfaitement à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification pour lesquelles une tension de claquage élevée, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie