MOSFET canal N DiodesZetex 600 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, E-Line AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

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655-559
Référence fabricant:
ZVN4206A
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

600mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

E-Line

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

700mW

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

4.77mm

Hauteur

4.01mm

Normes/homologations

No

Largeur

2.41mm

Standard automobile

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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