MOSFET canal N DiodesZetex 3.6 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMG3406L
- Code commande RS:
- 719-488
- Référence fabricant:
- DMG3406L-13
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 719-488
- Référence fabricant:
- DMG3406L-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | DMG3406L | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.4W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -50°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3mm | |
| Largeur | 2.5mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série DMG3406L | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W | ||
Température minimum de fonctionnemen -50°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3mm | ||
Largeur 2.5mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET en mode d'amélioration de canal N de DiodesZetex est conçu pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Conçu pour minimiser la résistance à l'état sous tension tout en offrant des performances de commutation supérieures, ce composant est idéal pour le chargement de batteries, les convertisseurs c.c.-c.c. et les adaptateurs d'alimentation portables. Sa conception mécanique robuste, combinée à une construction sans plomb et conforme à la directive RoHS, souligne son engagement en faveur de la durabilité et de la fiabilité environnementales dans une large gamme d'applications. Capable de gérer des charges de courant substantielles, ce transistor MOSFET est un composant essentiel pour les systèmes électroniques modernes nécessitant une gestion fiable de l'alimentation.
Faible résistance sous tension pour une meilleure efficacité dans la gestion de l'alimentation
La vitesse de commutation rapide améliore les performances dans les applications dynamiques
La faible capacité d'entrée réduit les besoins en puissance du système
Conçu pour une tension de drain-source maximale de 30 V, garantissant une polyvalence
Conforme à la directive RoHS, pour une production de dispositifs respectueuse de l'environnement
Construction totale sans plomb, conforme aux normes environnementales
La capacité de courant de drainage continu élevé de 3,6 A à 25 °C maximise les performances de l'application
Le niveau de sensibilité à l'humidité 1 garantit une fiabilité robuste dans divers environnements
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