MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 44 A 650 V N, 5 broches, PowerFlat HV ST8L65N0
- Code commande RS:
- 762-552
- Référence fabricant:
- ST8L65N065DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 10,30 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,18 €
HT
6,22 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,18 € | - |
| 10 - 2999 | 4,15 € | 10,30 € |
| 3000 + | 4,04 € | 3 420,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 762-552
- Référence fabricant:
- ST8L65N065DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 44A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | ST8L65N0 | |
| Type de Boitier | PowerFlat HV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 78nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 223W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Hauteur | 950μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 44A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série ST8L65N0 | ||
Type de Boitier PowerFlat HV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 78nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 223W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 8.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Hauteur 950μm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET Super Junction Power de canal N de STMicroelectronics est un dispositif d'alimentation à haut rendement basé sur la technologie Advanced MDmesh M9 Super Junction. Il est conçu pour les applications de moyenne à haute tension où les faibles pertes de conduction et la commutation rapide sont critiques.
Très faible facteur de mérite (FdM)
Capacité dv/dt plus élevée
Excellentes performances de commutation
100 % testé contre les avalanches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 35 A 650 V N PowerFlat HV ST8L65N0
- Diode STMicroelectronics Simple , 6 A En surface 5 broches PowerFlat HV
- MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V PowerFlat HV M6
- MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 650 V Enrichissement PowerFLAT SCTL35N65G2V
- MOSFETs simples canal N STMicroelectronics 58 A 650 V Enrichissement PowerFLAT ST8L65
- MOSFET canal N STMicroelectronics 2.2 A 600 V Enrichissement PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV MDmesh II
- canal N STMicroelectronics 25 A 750 V Enrichissement PowerFLAT (5 x 6) HV
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 350 A 40 V PowerFLAT STL