MOSFET canal N ROHM 3.9 A 1700 V, 7 broches, TO
- Code commande RS:
- 780-669P
- Référence fabricant:
- SCT2H12NWBTL1
- Marque:
- ROHM
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 780-669P
- Référence fabricant:
- SCT2H12NWBTL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1700V | |
| Type de Boitier | TO | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 0V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 15.5mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1700V | ||
Type de Boitier TO | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 0V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.2mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 15.5mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET en carbure de silicium de ROHM offre une commutation à canal N hautes performances pour la gestion de l'alimentation industrielle haute tension. Ce dispositif SiC avancé est conçu pour les alimentations auxiliaires, garantissant une conductivité thermique supérieure et des pertes de commutation plus faibles par rapport aux composants en silicium traditionnels.
Tension drain-source de 1 700 V
Courant de drainage continu de 3,9 A
Résistance à l'état passant typique de 1,15 ohms
Puissance dissipée élevée de 39 W