MOSFET canal N STMicroelectronics 66 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
- Code commande RS:
- 111-6487P
- Référence fabricant:
- STW70N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 111-6487P
- Référence fabricant:
- STW70N60DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 66A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | MDmesh DM2 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 42mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 66A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série MDmesh DM2 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 42mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 121nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101