MOSFET de puissance canal N Vishay 19 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC E
- Code commande RS:
- 121-9656
- Référence fabricant:
- SIHG20N50E-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (2 unités, dans un pack de 2)*
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,84 € | 7,68 € |
| 20 - 98 | 3,61 € | 7,22 € |
| 100 - 198 | 3,27 € | 6,54 € |
| 200 - 498 | 3,08 € | 6,16 € |
| 500 + | 2,885 € | 5,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 121-9656
- Référence fabricant:
- SIHG20N50E-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Série | E | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 184mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Série E | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 184mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.31mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Longueur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 500 V, courant de drain continu de 19 A - SIHG20N50E-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drainage continu de 19 A permet une manipulation de charge substantielle
• La dissipation de puissance de 179 W permet un fonctionnement à haute puissance
• Le RDS(on) maximal de 184 mΩ minimise les pertes par conduction
• La charge de grille typique de 46 nC réduit l'énergie de commande de commutation
• La valeur nominale de grille maximale de 30 V permet des tensions d'entraînement de grille standard
Applications
• Idéal pour les assemblages de transistors de puissance TO-247 à trou traversant 500 V
• Utilisé avec les inverseurs haute tension et les étapes d'entraînement de moteur
• Peut être utilisé pour les alimentations et les convertisseurs industriels
• Utilisé pour les réparations de trous traversants et les cartes de prototypage
Quelles sont les limites thermiques pour le déploiement dans les environnements chauds?
Quelle méthode de montage est nécessaire pour une installation fiable?
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille que je dois prendre en compte lors de la conception?
Comment la pièce est-elle conforme aux restrictions matérielles pour la fabrication?
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