MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 19 A 500 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 121-9656
- Référence fabricant:
- SIHG20N50E-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 121-9656
- Référence fabricant:
- SIHG20N50E-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.
Caractéristiques
Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg
Faible capacité d'entrée
Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Très faible charge de grille (Qg)
Commutation rapide
Pertes de conduction et de commutation réduites
Faible capacité d'entrée
Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Très faible charge de grille (Qg)
Commutation rapide
Pertes de conduction et de commutation réduites
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 19 A |
| Tension Drain Source maximum | 500 V |
| Série | E Series |
| Type de boîtier | TO-247AC |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 180 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 179 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 15.87mm |
| Largeur | 5.31mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
| Hauteur | 20.82mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |