MOSFET, Canal-N, 3,8 A 30 V SOT-23, 3 broches

  • Code commande RS 122-0219
  • Référence fabricant DMN3150L-7
  • Marque DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 3,8 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 112 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1.4V
Dissipation de puissance maximum 1,4 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Largeur 1.4mm
Matériau du transistor Si
Longueur 3mm
Hauteur 1.1mm
Charge de Grille type @ Vgs 8,2 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
3000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,056
HT
0,067
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,056 €
168,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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