MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 260 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-563 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 122-2883
- Référence fabricant:
- DMN63D8LV-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
162,00 €
HT
195,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 16 avril 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,053 € | 159,00 € |
| 30000 - 72000 | 0,051 € | 153,00 € |
| 75000 - 147000 | 0,05 € | 150,00 € |
| 150000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 122-2883
- Référence fabricant:
- DMN63D8LV-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 260mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-563 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 450mW | |
| Tension directe Vf | 0.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Hauteur | 0.6mm | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 260mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-563 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 450mW | ||
Tension directe Vf 0.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Hauteur 0.6mm | ||
Largeur 1.25mm | ||
Normes/homologations UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Longueur 1.7mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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