Références fabricant

MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 260 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-563 AEC-Q101

Code commande RS:: 122-2883
Référence fabricant:: DMN63D8LV-7
Marque:: DiodesZetex

MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 260 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-563 AEC-Q101

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Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

162,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 12000	0,054 €	162,00 €
15000 - 27000	0,053 €	159,00 €
30000 - 72000	0,051 €	153,00 €
75000 - 147000	0,05 €	150,00 €
150000 +	0,049 €	147,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 122-2883
Référence fabricant:: DMN63D8LV-7
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	260mA
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOT-563
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	13Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	450mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.4nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	0.8V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Isolé
	Hauteur	0.6mm
	Largeur	1.25mm
	Longueur	1.7mm
	Normes/homologations	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 260mA
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOT-563
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 13Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 450mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 0.8V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Isolé
	Hauteur 0.6mm
	Largeur 1.25mm
	Longueur 1.7mm
	Normes/homologations UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

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