Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	2 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	120 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.1V
Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
Dissipation de puissance maximum	400 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Largeur	1.4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	4,5 nF @ 10 V
Longueur	3mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	2 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	120 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.1V
Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
Dissipation de puissance maximum	400 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Largeur	1.4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	4,5 nF @ 10 V
Longueur	3mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 2 A 20 V, 3 broches

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