MOSFET P ROHM 4 A 12 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RAF040P01

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total 100 unités (conditionné une bande continue)*

32,80 €

HT

39,40 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
100 - 1800,328 €
200 - 4800,281 €
500 - 9800,263 €
1000 +0,256 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
124-6767P
Référence fabricant:
RAF040P01TCL
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Série

RAF040P01

Type de Boitier

SOT-323

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

68mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

37nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V

Dissipation de puissance maximum Pd

800mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.8mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.1mm

Hauteur

820μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.