MOSFET canal N ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-416 RE1C002UN

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1500 - 36000,052 €
3750 - 73500,051 €
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Code commande RS:
124-6784P
Référence fabricant:
RE1C002UNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RE1C002UN

Type de Boitier

SOT-416

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

960μm

Normes/homologations

No

Longueur

1.7mm

Hauteur

800μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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