MOSFET P ROHM 200 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RU1C002ZP

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124-6835P
Référence fabricant:
RU1C002ZPTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-323

Série

RU1C002ZP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35mm

Longueur

2.1mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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