MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 RU1J002YN

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124-6836P
Référence fabricant:
RU1J002YNTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

SOT-323

Série

RU1J002YN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

2.1mm

Largeur

1.35mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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