MOSFET canal N ROHM 200 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 RUC002N05

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124-6837P
Référence fabricant:
RUC002N05T116
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

SC-70

Série

RUC002N05

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

3.1mm

Hauteur

1.15mm

Largeur

1.5mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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