MOSFET canal N ROHM 100 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, ESM RUM001L02

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Code commande RS:
124-6838P
Référence fabricant:
RUM001L02T2CL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RUM001L02

Type de Boitier

ESM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

450μm

Longueur

1.3mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

900μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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