MOSFET canal N onsemi 75 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 UltraFET

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Code commande RS:
145-4541
Référence fabricant:
HUF75339P3
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-220

Série

UltraFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

12mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.4mm

Largeur

4.83mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.

Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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