MOSFET, Fairchild, FQPF9N50CF

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 9 A
Tension Drain Source maximum 500 V
Type de boîtier TO-220F
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 850 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 44 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Charge de Grille type @ Vgs 28 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Série QFET
Largeur 4.9mm
Longueur 10.36mm
Hauteur 16.07mm
1000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,205
HT
1,446
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 50
1,205 €
60,25 €
100 - 200
1,109 €
55,45 €
250 - 450
1,042 €
52,10 €
500 +
0,959 €
47,95 €
*Prix donné à titre indicatif
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