MOSFET Nexperia canal N, DFN1010B-6 260 mA 60 V, 8 broches

Transistors MOSFET canal N 40 V-60 V, transistors MOSFET de niveau logique et standard dans divers boîtiers, les transistors MOSFET robustes et faciles à utiliser sont disponibles dans la plage de 40 V à 60 V et font partie de notre large gamme de transistors MOSFET. Ils sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant d'excellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe.

Transistor MOSFET à tranchée double canal N 60 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et double canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010B-6 (SOT1216) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Niveau logique compatible
Boîtier en plastique CMS très petit et ultra-mince sans câble 1,1 x 1 x 0,37 mm
Technologie MOSFET à tranchée
Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur en charge Low-side
Circuits de commutation