MOSFET Nexperia canal N, DFN1010D-3 3,2 A 20 V, 4 broches

Avec les transistors MOSFET canal N ≤20 V, bénéficiez de solutions de commutation optimales pour vos conceptions portable, faites votre choix parmi une large gamme de transistors MOSFET à canal N simple et double jusqu'à 20 V. Excellente fiabilité grâce à nos technologies TrenchMOS et boîtier de confiance. Nos transistors MOSFET basse tension d'utilisation facile sont conçus spécifiquement pour répondre aux demandes des applications portables avec des tensions de pilotage faible.

Transistor MOSFET à tranchée canal N 20 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Technologie MOSFET à tranchée
Boîtier en plastique CMS très petit et mince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm
Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique
Résistance à très faible drain-source à l'état passant RDSon = 42 mΩ
Protection ESD de 1 kV
Commutateur en charge Low-side et commutateur de charge pour les appareils portables
Gestion de l'alimentation dans les dispositifs portables à batterie
Driver de LED
Convertisseurs c.c.-c.c.