Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	3 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-223
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	110 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	2,1 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	22 nC @ 10 V c.c.
Longueur	6.7mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	3.7mm
Hauteur	1.65mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	3 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-223
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	110 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	2,1 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	22 nC @ 10 V c.c.
Longueur	6.7mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	3.7mm
Hauteur	1.65mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, SOT-223 3 A 60 V, 3 broches

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