MOSFET P Vishay 7.4 A 40 V Enrichissement, 6 broches, TSOP-6 SQ Rugged AEC-Q101

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Code commande RS:
165-6983
Référence fabricant:
SQ3419EV-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7.4A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TSOP-6

Série

SQ Rugged

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

78mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

3.1mm

Largeur

1.7mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET canal P, série SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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