MOSFET canal N Vishay 5.1 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-75 SiB406EDK
- Code commande RS:
- 165-7263
- Référence fabricant:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 165-7263
- Référence fabricant:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SC-75 | |
| Série | SiB406EDK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 63mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 10W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Hauteur | 800μm | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SC-75 | ||
Série SiB406EDK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 10W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.7mm | ||
Hauteur 800μm | ||
Longueur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal N, de 8 à 25 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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