MOSFET P STMicroelectronics 10 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET

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Code commande RS:
165-8005
Référence fabricant:
STD10P6F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

30W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.4nC

Tension directe Vf

-1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

7.45mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.38mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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