MOSFET N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

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Code commande RS:
166-0113
Référence fabricant:
PSMN1R7-30YL,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

2.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

109W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

77.9nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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