Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	130 mA
Tension Drain Source maximum	50 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	10 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	0.8V
Dissipation de puissance maximum	250 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.4mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Longueur	3mm
Température de fonctionnement minimum	-65 °C
Hauteur	1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	130 mA
Tension Drain Source maximum	50 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	10 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	0.8V
Dissipation de puissance maximum	250 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.4mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Longueur	3mm
Température de fonctionnement minimum	-65 °C
Hauteur	1mm

MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches

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