MOSFET canal N onsemi 52 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 UniFET

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Code commande RS:
166-2543
Référence fabricant:
FDB52N20TM
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

52A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

UniFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

49mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

357W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

49nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

10.16mm

Longueur

9.98mm

Hauteur

4.572mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor


Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

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On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

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