MOSFET P onsemi 8.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench

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Code commande RS:
166-2594
Référence fabricant:
FDS4685
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

8.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

PowerTrench

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.

Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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