MOSFET N onsemi 7 A 100 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench

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Code commande RS:
166-2649
Référence fabricant:
FDS86141
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

PowerTrench

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

40mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11.8nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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