MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé onsemi 2.6 A 20 V Enrichissement, 6 broches, MicroFET mince PowerTrench Non

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Code commande RS:
166-2712
Référence fabricant:
FDME1023PZT
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2.6A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

PowerTrench

Type de Boitier

MicroFET mince

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

142mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.4W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.7nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Isolé

Normes/homologations

RoHS

Longueur

1.6mm

Largeur

1.6mm

Hauteur

500μm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à double canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. En utilisant cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui de la génération précédente.

Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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