MOSFET canal Type N IXYS 18 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 Non
- Code commande RS:
- 168-4698
- Référence fabricant:
- IXFH18N100Q3
- Marque:
- IXYS
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|---|---|---|
| 30 + | 15,802 € | 474,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4698
- Référence fabricant:
- IXFH18N100Q3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1kV | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 660mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 830W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 90nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.3 mm | |
| Longueur | 16.26mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.26mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1kV | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 660mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 830W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 90nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.3 mm | ||
Longueur 16.26mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.26mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
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Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
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